З точки зору флеш-пам'яті NAND, збереження даних є проміжок часу, протягом якого дані можуть надійно зберігатися в певному місці адреси без пошкодження. Це доречний фактор надійності, який може змінити значення біта та спричинити пошкодження збережених даних.
Флеш-пам'ять NAND зберігає дані у вигляді блоків і покладається на електричні схеми для зберігання даних. Коли флеш-пам’ять NAND відключається від живлення, металооксид-напівпровідник забезпечить додатковий заряд комірці пам’яті, зберігаючи дані. Як металооксидний напівпровідник зазвичай використовується транзистор з плаваючим затвором (FGT).
Зберігання даних стосується практика зберігання даних протягом певного періоду часу. Це може бути зроблено з різних причин, включаючи відповідність законодавству, безперервність роботи та аналітику даних.
У якийсь момент клітина не може надійно утримувати заряд. TechTarget каже, що більшість твердотільних накопичувачів (SSD) корпоративного класу, які зазвичай використовують флеш-пам’ять NAND, розроблені для довговічності. від трьох до п'яти років, причому щільність клітин відіграє значну роль у показниках витривалості.
Флеш-пристрої NAND, які зазвичай використовують технологію уловлювання заряду зберігати електрони в непровідному шарі ізоляції з нітриду кремнію. Примусове потрапляння електронів у нітридний шар також генерує пороговий зсув напруги, і електрони утримуються в непровідному матеріалі.
В основі флеш-пам'яті NAND використовує електричні схеми для зберігання даних у блоках, використовуючи можливості металооксидних напівпровідників. Цей компонент флеш-пам’яті, широко відомий як транзистор з плаваючим затвором (FGT), відображає логічні вентилі NAND, що дозволяє зберігати та витягувати дані.